Samsung представила сверхбыструю память HBM4E и SSD с интерфейсом PCIe 6.0

Компания Samsung анонсировала новые решения для дата-центров и систем искусственного интеллекта.
Среди новинок — память HBM4E и твердотельные накопители с интерфейсом PCIe 6.0, которые обеспечивают значительно более высокую скорость передачи данных.  

Технологии были показаны на конференции NVIDIA GTC 2026, где Samsung продемонстрировала свои разработки для будущих AI-платформ.  

Память HBM4E

Главной новинкой стала высокоскоростная память HBM4E (High Bandwidth Memory) нового поколения.

Основные характеристики:

 • скорость до 16 Гбит/с на контакт

 • пропускная способность до 4 ТБ/с

 • до 48 ГБ памяти в одном стеке.  

Такие показатели позволяют значительно ускорить обработку данных в системах искусственного интеллекта и суперкомпьютерах.

Технология многослойной памяти

Samsung также показала новую технологию Hybrid Copper Bonding, которая позволяет создавать стек памяти из 16 и более слоёв.

При этом сопротивление теплу снижается более чем на 20 %, что помогает улучшить охлаждение и стабильность работы.  

SSD нового поколения

Кроме памяти, компания представила SSD-накопитель PM1763 с интерфейсом PCIe 6.0.

Такие накопители обеспечивают:

 • значительно более высокую скорость передачи данных

 • большую ёмкость

 • повышенную энергоэффективность.  

Подобные решения ориентированы прежде всего на серверы и инфраструктуру AI, где требуется обработка огромных массивов данных.

Партнёрство с NVIDIA

Новые разработки Samsung создаются в тесном сотрудничестве с NVIDIA и предназначены для будущих AI-платформ компании, включая архитектуру Vera Rubin.  

Итог

Samsung продолжает активно развивать технологии памяти и хранения данных для систем искусственного интеллекта.

HBM4E и SSD с интерфейсом PCIe 6.0 должны стать ключевыми компонентами будущих AI-серверов и высокопроизводительных вычислительных систем.